Eng.

Главная

Победители МНШК

Басов Николай Геннадиевич

Поступление в магистратуру

Поступление в ВШФ

 

 

 

Н.Г. Басов с сотрудниками
слева О.Н. Крохин и Е.Г. Гамалий (стоит),
справа В.Б. Розанов и Ю.В. Афанасьев (стоит)

Программный комитет

Организационный комитет

Форма и условия участия

Оформление тезисов

Программа школы

Место проведения

Организаторы

Контакты

Архив

Регистрация

 

---

Басов Николай Геннадиевич

Николай Геннадиевич Басов родился 14 декабря 1922 г. в деревне Усмань (ныне городе Липецкой области), вблизи Воронежа, в семье Геннадия Федоровича Басова и Зинаиды Андреевны Молчановой. Его отец, профессор Воронежского лесного института, специализировался на влиянии лесопосадок на подземные воды и поверхностный дренаж. В 1927 году семья переехала из Усмани в Воронеж.

В 1941 году Н.Г. Басов окончил воронежскую школу № 13, после школы прошел подготовку на ассистента врача в Куйбышевской военной медицинской академии. В 1943 году он ушёл на фронт, служил ассистентом врача на украинском фронте.

После войны Н.Г. Басов изучал теоретическую и экспериментальную физику в Московском инженерно-физическом институте. В 1948 г., за два года до окончания института, он стал работать лаборантом в Физическом институте им. П.Н. Лебедева АН СССР в Москве. Получив диплом, он продолжал обучение под руководством М.А. Леонтовича и Александра Прохорова. В 1953 году Н.Г. Басов защитил кандидатскую диссертацию. Три года спустя он стал доктором физико-математических наук, защитив диссертацию, посвященную теоретическим и экспериментальным исследованиям молекулярного генератора, в котором в качестве активной среды использовался аммиак.

С 1958 по 1972 год Н.Г. Басов работал заместителем директора ФИАН, а в 1973 году возглавил институт, проработав в должности директора до 1989 года. В 1963 году он организовал Лабораторию квантовой радиофизики, которую возглавлял до своей смерти. В 1962 году Басов был избран членом-корреспондентом АН СССР, а в 1966 году — академиком АН СССР. Избирался в президиум Академии наук — член президиума АН СССР с 1967 по 1990 год, и президиума РАН с 1991 года.


НАУЧНАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ

Работы Басова посвящены квантовой электронике и ее применениям. В 1952 году вместе с А.М.Прохоровым он установил принцип усиления и генерации электромагнитного излучения квантовыми системами. В 1955 году им была предложена трехуровневая схема создания инверсной населенности уровней, нашедшая широкое применение в мазерах и лазерах. Эти работы (а также исследования американского физика Ч. Таунса) легли в основу нового направления в физике — квантовой электроники. За фундаментальную работу в области квантовой электроники, которая привела к созданию лазера и мазера, Н.Г. Басов, А.М. Прохоров и Ч. Таунс в 1964 году получили Нобелевскую премию по физике

Ряд работ Н.Г. Басова посвящен вопросам распространения и взаимодействия мощных лазерных импульсов с веществом. Ему принадлежит идея использования лазеров для управления термоядерным синтезом (1962 г.), им же предложены методы лазерного нагрева плазмы, а также стимулирования химических реакций лазерным излучением.

Совместно с Ю.М. Поповым и Б.М. Вулом,  Н.Г. Басов предложил идею создания различных типов полупроводниковых лазеров. В 1962 была выдвинута идея создания инжекционного лазера, затем были созданы лазеры, возбуждаемые электронным пучком, а в 1964 — полупроводниковые лазеры с оптической накачкой. Н.Г.Басов развивал исследования и по мощным газовым и химическим лазерам. Им были созданы фторводородный, йодный лазеры и эксимерный лазер, а также сумматоры — преобразователи лазерного излучения.

Н.Г. Басов разработал физические основы создания квантовых стандартов частоты, выдвинул идеи новых применений лазеров в оптоэлектронике, такие как создание оптических логических элементов, выступал инициатором многих исследований по нелинейной оптике.

Н.Г. Басов был главным редактором журналов «Наука», «Квант», «Квантовая электроника», «Природа», «Journalofsovietlaserresearch», «Краткие сообщения по физике», сборника «Труды Физического института им. П.Н.Лебедева». В 1978—1990 годах Н.Г.Басов являлся председателем правления Всесоюзного просветительского общества «Знание». С 1982 по 1989 год был членом Президиума Верховного Совета СССР.


НАГРАДЫ

Заслуги Н.Г. Басова перед отечественной и мировой наукой были отмечены многочисленными наградами. Н.Г. Басов являлся Лауреатом Ленинской премии и Государственной премии СССР, был награжден пятью орденами Ленина, орденом «За заслуги перед Отечеством» II степени, Командорским крестом ордена «За заслуги», Золотой медалью им. М.В.Ломоносова. Дважды ему присуждалось высокое звание Героя социалистического труда.


ВЫСШАЯ ШКОЛА ФИЗИКОВ ИМ. Н.Г. БАСОВА

В 1971 году академик Басов Н.Г. и профессора Кириллов-Угрюмов В.Г. и Быковский Ю.А. основали Высшую школу физиков (ВШФ «МИФИ-ФИАН») - Специальный факультет физики на базе Московского инженерно-физического института (государственного университета) и Физического института РАН им. П.Н.Лебедеваадачей Высшей школы физиков является целевая индивидуальная подготовка специалистов высшей квалификации по перспективным научным направлениям и наукоемким технологиям по договорам с региональными вузами и научными организациями.
Три основные составляющие положены в основу идеи создания школы ее тремя основателями:

Первая - в ВШФ на основе индивидуального конкурсного отбора, в порядке перевода, зачисляются студенты из различных вузов страны (как правило, университетов), имеющие образование в объеме двух с половиной курсов физических факультетов, проявившие склонность и способность к научно-исследовательской и инженерной работе.

Вторая - параллельно с учебным процессом, студенты ведут полноценную научно-исследовательскую работу в лабораториях МИФИ и ФИАН.

Третья - по окончании обучения выпускникам выдается государственный диплом с указанием квалификации инженер-физик. Получив диплом МИФИ, выпускники направляются в распоряжение вузов, откомандировавших их на обучение.

Создание и реализация проекта «Высшая школа физиков МИФИ-ФИАН» отмечены премией Президента РФ в области образования за 2001 год. Высшей школе физиков МИФИ-ФИАН присвоено имя ее основателя и научного руководителя академика Н.Г.  Басова. Деятельность ВШФ получила высокую оценку Коллегии Минобразования и поддержку в рамках федеральной целевой программы «Интеграция».

 

---

 

Конкурс школьных проектных работ

1.      Первое информационное сообщение (PDF).

2.      Второе информационное сообщение (PDF).

3.      Образец оформления тезисов (RTF)

4.      О приеме в магистратуру и аспирантуру НИЯУ МИФИ (PDF)

5.      О наборе в ВШФ (PDF)

6.      Положение о конкурсе проектных работ школьников (PDF)

7.      Списки устных докладов.

8.      Списки стендовых докладов.

9.      Программа школы.

10.  Стендовые доклады школьных работ

11.  Список победителей МНШК

12.  Условия и сроки публикации в журнале IOP

13.  Сборник тезисов МНШК2017 ч.1

14.  Сборник тезисов МНШК2017 ч.2

15.  Сборник тезисов МНШК2017 ч.3 (школьники)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Адрес Оргкомитета

115409, г. Москва, Каширское шоссе, 31,
НИЯУ МИФИ,  
Институт магистратуры и
Высшая школа физиков
им. Н.Г. Басова НИЯУ МИФИ.

 

Контакты Оргкомитета

Телефон/факс: (499) 725-24-06
E-mail:
mppt@mephi.ru